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ENJ2005-A半導體分立器件測試系統

簡要描述:ENJ2005-A半導體分立器件測試系統采用脈沖測試法,脈沖寬度為美軍標規定的300uS。在PC窗口提示下輸 入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。被測器件引腳接觸自動判斷功能。系統采用帶有開爾文感應結構的測試工裝,自動補償由于系統內部及測試電 纜長度引起的壓降,保證測試結果準確可靠。

  • 產品型號:
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2025-09-25
  • 訪  問  量:1222

詳細介紹

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ENJ2005-A半導體分立器件測試系統

系統概述:

設備擴展性強,通過選件可以提高電流和測試范圍。支持電流階梯升級至1250A。采用脈沖測試法,脈沖寬度為美軍標規定的300uS。在PC窗口提示下輸 入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。被測器件引腳接觸自動判斷功能。系統采用帶有開爾文感應結構的測試工裝,自動補償由于系統內部及測試電 纜長度引起的壓降,保證測試結果準確可靠。 面板顯示裝置可及時顯示系統的各種工作狀態和測試結果,前面板的功能按鍵方便了系統操作。通過功能按鍵,系統可以脫離主控計算機獨立完成多種工 作。系統提供與機械手、探針臺、電腦的連接口,可以支持各種不同輔助設備的連接使用。

ENJ2005-A半導體分立器件測試系統基礎配置:

技術參數

ENJ2005-A型

主極電壓

10mV-2000V

主極電流

100nA-50A

擴展電流

100A、200A、400A、500A

電壓分辨率

1mV

電流分辨率

100nA

測試精度

0.5%+2LSB

測試速度

0.5mS/參數








測試參數:

漏電參數:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

擊穿參數:BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、  BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO

增益參數:hFE、CTR、gFS、

導通參數:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)

混合參數:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation

關斷參數:VGSOFF

觸發參數:IGT、VGT

保持參數:IH、IH+、IH-

鎖定參數:IL、IL+、IL-

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