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ENX2020 IGBT/晶閘管老化測試系統

簡要描述:ENX2020 IGBT/晶閘管老化測試系統是在一定溫度下,對半導體器件施加阻斷(或反偏)電壓,按照規定時間,從而對器件進行質量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。

  • 產品型號:
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2025-09-25
  • 訪  問  量:1918

詳細介紹

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交流阻斷(或反偏)耐久性試驗是在一定溫度下,對半導體器件施加阻斷(或反偏)電壓,按照規定時間,從而對器件進行質量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。一般情況下,此項試驗是對器件在結溫(TM℃和規定的交流阻斷電壓或反向偏置電壓的兩應力組合下,進行規定時間的試驗,并根據抽樣理論和失效判定依據,確認是否通過, 同時獲取相關試驗數據。該系統符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、JEDEC標準。

ENX2020 IGBT/晶閘管老化測試系統

系統組成:

漏電流保護回路
試驗電壓保護回路
高壓回路
試品漏電流
試驗電壓
溫度控制單元










ENX2020 IGBT/晶閘管老化測試系統

技術指標:

晶閘管高溫阻斷IGBT高溫反偏測試
試驗電壓VDRM.VRRM/VRRM 300V- 4000V

連續可調, 50HZ工頻

試驗電壓:

50-5000V ±3%±10V

器件漏電流測試范圍:

0.01mA-2mA

0.01mA-1mA±3%±0.01mA

1mA-2mA±3%±0.1mA

測試時間:計算機設定

測試方法:器件在特定溫度下存儲一定時間后,在設定電壓下對每只器件同時持續加反壓進行測試,每隔1-2秒刷新一遍輸出的測試結果,監控各器件反壓下漏電流參數,并保存測試數據。

試驗電流IDRM.IRRM/IRRM 1.0mA-200.0mA
試驗溫度

溫度范圍:室溫-180℃

125℃±3℃;溫度波動度±0.5℃

試驗工位10工位
試驗容量80×16=1280位
加電方式

器件試驗參數從器件庫中導入,ATTM自動加電試驗方式,可單通道操作;老化電源可根據設定試驗電壓和上電時間程控步進加載

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